Počítačové komponenty pro průmysl

78.C1GEQ.4030C DDR3 1333 8GB 512x8

DDR4 Indus. U-DIMM, Freq. 2133, Cpacity: 4GB, Config: 512x8, Rank 2R; Chip: SA-E, CL15

DDR4 Indus. U-DIMM, Freq. 2133, Cpacity: 8GB, Config: 1024x8, Rank 1R; Chip: SA-B, CL15

288-pin 2133 MHz Dual-Channel DDR4 SDRAM unbuffered DIMM DDR4 2133 4GB 512x8 1R SA CL15

288-pinová dvoukanálová paměť DDR4 SDRAM 2133 MHz bez vyrovnávací paměti DIMMDDR4 2133 8GB 1024x8 1R SA CL15

288-pinová dvoukanálová paměť DDR4 SDRAM 2133 MHz bez vyrovnávací paměti DIMMDDR4 2133 16GB 1024x8 2R SA CL15

SO DIMM Socket (1.2V) 16 GB, Dual Channel, DDR4–2400, 16GB, 1024x8, 2R, SA, CL17

PN:CIR-S2DUMG6602G, PIN: 240, IC brand: MICRON, IC organisation: 128Mx8, Rank: Dual, Speed: 667 MHz, Density: 2GB, Voltage: 1.8V

Part No. PIN IC Brand IC Organization Rank Speed Density Voltage CIR-S4SUSV2104G 260 Samsung 512Mx8 Single 2133 4GB 1.2V

Paměťový modul typu DDR4 SODIMM, který má kapacitu 4 GB a rychlost 3200 MT/s

DDR4 Unbuffered SO-DIMM